HWCVD相关论文
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响。采用光谱型椭偏仪分......
忆阻器(Memristor)是除了电阻、电容及电感之外的第四种电路基本元件,自1971提出后受到广泛的关注。忆阻器主要特点是具有非易失性......
本文报道的内容为a-Si:H/c-Si异质结太阳电池(简称a/c硅太阳电池)结构设计和相关材料ITO与a-Si:H研究的工作。本文第二章简要介绍......
为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热......
本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片（n-Cz-Si）为衬底采用热丝化学气相沉积法（HWCVD）沉积氢化......
采用HWCVD法双面沉积aGSi∶H 膜钝化n-CzGSi片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a......
采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜，采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性，较为系统地研究了硅烷浓......
采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD(rf-HWCVD)的光发射谱,比较......
非晶硅/晶体硅异质结太阳电池是晶体硅太阳电池的典型类型。非晶硅与晶体硅异质结之间插入一层本征非晶硅层可改善该类器件的性能,......
目前,硅薄膜太阳能电池的研究已成为国际光伏领域研究热点。硅薄膜太阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言,具有耗材少,成......
氢化纳米硅薄膜是一种非常重要的硅薄膜材料,已经被广泛地应用于太阳能电池等光电器件,并且成为未来“第三代”太阳能电池发展的有......
带有本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好，是低价高效电池的一种。根据相关文献，遵循HIT电池发展......
